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采用二步索引算法实现OSD电路的改进设计

gecimao 发表于 2019-05-27 15:14 | 查看: | 回复:

  OSD(on screen display),即在屏显示系统,是实现人机界面交互的基础,在视频处理SOC中作为重要功能模块有着广泛的应用。

  基于SOC技术的模块化设计要求各功能模块尽可能小地占用电路资源,以满足芯片系统对资源使用和面积的控制。对于OSD功能模块而言,存储器资源为主要开销。因此,减少存储器资源的使用对降低OSD模块电路资源需求有着重要的意义。

  OSD电路中,字符索引算法的选取直接决定了存储器资源的使用情况,因此采用更优化的字符索引算法可以达到降低存储器资源需求量的目的。作者在逐字符索引法的基础上,针对该算法的缺点,提出了二步索引法。在保证OSD功能完整的同时,大大地降低了系统对存储器资源的需求。

  字符索引算法是将OSD菜单中所显示的字符按菜单显示顺序进行编码,并存储于存储器中,在读取字符点阵信息以显示菜单时通过读取编码信息来索引所需字符信息。设菜单中字符尺寸为C1×Ch(bit),菜单共显示m行字符,每行显示n个字符,字符编码Ni×j,并且存储器中一个地址所存储的数据(bit)大于C1。则读取菜单中第i行第j个字符时,首先通过索引得到存储器中相应字符的字符编码Ni×j,索引地址可通过公式(1)得出:

  将读取出的字符编码Ni×j转换成相应字符点阵信息在存储器中存储空间的首地址。地址的转换可通过公式(2)计算得到:

  式中:addr_u0×0和addr_d0×0分别是字符编码存储器和字符点阵信息存储器中首地址指针。根据Ch控制从字符点阵信息存储器中读出地址范围为addr_di×j到addr_di×j+Ch的数据即完成了对菜单中第i行第j个字符的点阵数据信息的读取。

  逐字符索引算法下,将空格按字符看待并进行编码,菜单每行固定显示n个字符,字符长度小于n的菜单行由空格来补齐。由于采用定长的存储结构,所以字符索引电路原理简单且易于实现,只需要根据菜单字行符长数n就可以计算出相应行字符的首地址指针。但这种存储结构的缺点也很明显,就是对存储器的使用量较大。在该算法下,可以计算出在OSD所需要的使用的存储器量为:m×n×Ch,如图1(a)所示。存人其中的“空格”(图中编码为“28”)会占用相当一部分的存储器资源。在一些情况中,用于补充空缺而存储的“空格”所占用的存储空间甚至会比字符点阵信息的存储空间还要多,这是对存储器资源极大的浪费。

  如果只存储字符点阵信息而不存储‘空格 i,显然对节省存储器资源将有着很大的帮助。为达到这样的设计目标,在逐字索引法的基础上,通过改进提出了二步索引算法。

  设第k幅菜单中显示nk行字符,菜单第i行中显示li个字符。其中,nk存储于寄存器中,li存储在一段地址长度为nk的字符数信息存储器中。在二步索引算法下,通过读取字符数信息存储器中的数据以及根据nk限制读出的li数据个数,可以确定菜单中各行所显示的字符的个数。第k幅菜单中第i行第j个字符的编码信息在存储器中的地址指针可以根据公式(3)确定:

  读出字符编码数据Ni×j,仍然通过公式(2)得到相应字符在点阵信息存储器中存储地址段的首地址指针,从而读出全部的字符点阵信息。完整的数据读取操作过程如图2所示。

  在二步索引算法中,引入了行显示字符数li和菜单显示字符行数nk2个参数,通过nk首先索引菜单中第i行的显示字符数li,根据li控制索引该行第j个字符编号Ni×j。根据li可以知道每行显示的字符数,所以字符编码信息可以按行顺序紧密的存储,即每行存储的数据采用非定长的方式,如图1(b)所示。与图1(a)所示的逐字索引法存储器结构相比,二步索引法在对存储器资源的节省方面效果是显著的。

  如图3所示,相比于逐字索引法的电路实现结构,二步索引法的电路实现结构中增加了字符行寄存器和用于存放行字符数信息的存储器。字符行寄存器中存人nk,根据字符行计数器所计数据与nk比较来控制从行字符数存储器中读出的数据数。读出的行字符数信息li再用以控制显示第i行菜单字符所需从字符编码存储器中读出的字符编码数据数。读出的字符编码Ni×j通过地址生成电路转换成相应字符的点阵信息在字符点阵ROM中存储地址段的首地址,从而在字符点阵ROM中索引出相应字符的点阵数据,如此反复,可实现对全部字符点阵数据的索引。

  从字符点阵ROM中读取出的字符点阵信息经过点阵重组电路的处理后将按字符Cl×Ch顺序的点阵信息转换成按菜单行顺序的格式存入到输出缓存中。输出缓存中数据的存储顺序如图3所示。

  输出缓存能够存储整幅菜单的显示信息,以使菜单生成和菜单输出显示2个过程相互独立,从而使得在显示菜单的同时,可进行新菜单内容的读入,保证菜单显示的连贯胜。输出缓存容量大小由包含显示信息最多的一幅菜单决定。

  从输出缓存中读出的数据用于控制生成菜单字符层,在层选择电路中与菜单背景层和属性条层进行叠加处理后输出一幅完整的菜单。字符层、菜单背景层和属性条层相互独立,由层混合控制电路控制进行混合叠加处理,再将菜单与屏幕背景层进行叠加输出混合视频信号。层混合叠加电路的实现结构如图4所示。

  设计在Xilinx公司的ISE6.3软件环境下,使用VERILOGHDL硬件描述语言对其电路逻辑进行描述,并以Xilinx公司xc2v1500bg575-4型为核心芯片的FPGA仿真验证平台对其进行硬件实现及功能验证。FPGA验证平台架构如图5所示。

  验证平台输入模拟视频信号,经SAA7111A芯片电路A/D采样转变为数字视频信号接入FPGA验证平台。经过视频处理电路去隔行、尺寸缩放等处理的视频信号在图象混合电路中与OSD菜单混合后输出经DS90C38芯片电路转为LVDS(低压差分信号)信号并驱动液晶屏显示结果。

  对2种字符索引算法下实现的OSD电路进行验证比较。OSD字符索引电路部分使用到的存储器资源可以分为字符编码存储器、行字符数存储器、字符行寄存器3种。以生成图6中所示菜单为例分析2种算法下OSD字符索引电路对存储器资源的使用情况,将结果列于表1中。

  从表中可以看出,以二步索引算法实现的字符索引电路使用了8个bytes的行字符数存储器和1个byte的字符行寄存器,而以逐字索引算法实现的字符索引电路在这2类存储器上的使用量均为0。但是,后者在字符编码存储器的使用上却达到了96 bytes,远远多于前者50 bytes的使用量。从表1中可以看到,前者对存储器资源的总使用量比起后者减少了很大一部分。随着菜单尺寸的增加和显示的字符信息的增加,二次索引算法对存储器资源的节省效果也会更加的显著。

  采用模块化设计方法实现的OSD电路,作为视频格式处理芯片的子电路模块,对硬件资源的使用将影响到整块芯片的电路性能。本文针对OSD电路中以存储器为硬件资源的主要开销这个特点,提出了采用二步索引算法实现的一种改进型字符索引结构的OSD电路。引入字符行寄存器和行字符数存储器,通过对行字符数和字符编码的二步索引,从而得到了菜单的显示信息,同时大大地降低了对存储器资源的使用。该算法的硬件结构简单,易于实现,在实现了同样的电路功能的前提下,大大节省了硬件资源的开销。

  本文所介绍的基于二步索引算法实现的改进字符索引结构的OSD电路,将作为子模块电路集成于一款视频格式转换多媒体芯片的系统中,为其提供人机交互功能。该系统可应用于汽车电子、视频显示等多媒体处理场合。

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  TLC5958 具有 48k 位存储器的 48 通道、16 位 PWM LED 驱动器

  信息描述TLC5958 是一款 48 通道恒流灌电流驱动器,适用于占空比为 1 至 32 的多路复用系统。 每个通道都具有单独可调的 65536 步长脉宽调制 (PWM) 灰度 (GS)。采用 48K 位显示存储器以提升视觉刷新率,同时降低 GS 数据写入频率。输出通道分为三组,每组含 16 个通道。 各组都具有 512 步长颜色亮度控制 (CC) 功能。 全部 48 通道的最大电流值可通过 8 步长全局亮度控制 (BC) 功能设置。 CC 和 BC 可用于调节 LED 驱动器之间的亮度偏差。 可通过一个串行接口端口访问 GS、CC 和 BC 数据。如需应用手册:,请通过电子邮件发送请求。TLC5958 有一个错误标志:LED 开路检测 (LOD),可通过串行接口端口读取。 TLC5958 还具有节电模式,可在全部输出关闭后将总流耗设为 0.8mA(典型值)。特性 48 通道恒流灌电流输出具有最大亮度控制 (BC)/最大颜色亮度控制 (CC) 数据的灌电流: 5VCC 时为 25mA 3.3VCC 时为 20mA 全局亮度控制 (BC):3 位(8 步长) 每个颜色组的颜色亮度控制 (CC):9 位(512 步长),三组使用多路复用增强型光谱 (ES) PWM 进行灰度 (GS) 控制:16 位 支持 32 路多路复用的 48K 位灰度数据...

  TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存储器功率解决方案、用于嵌入式计算的同步降压控制器

  信息描述 The TPS59116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18, and DDR3 memory systems. It integrates a synchronous buck controller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered low noise reference. The TPS59116 offers the lowest total solution cost in systems where space is at a premium. The TPS59116 synchronous controller runs fixed 400-kHz pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that can be configured in D-CAP™ Mode for ease of use and fastest transient response or in current mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDO maintains fast transient response only requiring 20-µF (2 × 10 µF) of ceramic output capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally to significantly reduce the total power losses. The TPS59116 supports all of the sleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) and dischargin...

  TPS53317A 用于 DDR 存储器终端的 6A 输出 D-CAP+ 模式同步降压集成 FET 转换器

  信息描述 TPS53317A 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ½ VDDQ的经稳压输出,此输出具有吸收电流和源电流功能。TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运行模式,简单易用,所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外,该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。该器件具有两种开关频率设定值(600kHz 和 1MHz),可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能,支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V,而输出电压在 0.45V 至 2.0V 范围内可调。TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装(绿色环保,符合 RoHS 标准并且无铅),其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术,其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。特性 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技术支持 DDR 内存...

  TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器功率解决方案同步降压

  信息描述 TPS51716 用最少总体成本和最小空间提供一个针对 DDR2,DDR3,DDR3L 和 LPDDR3 内存系统的完整电源。 它集成了同步降压稳压器控制器 (VDDQ),此控制器具有 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和经缓冲的低噪声基准 (VTTREF)。 TPS51716 采用与 500kHz 或 670kHz 工作频率相耦合的 D-CAP2™ 模式,此模式在无需外部补偿电路的情况下可支持陶瓷输出电容器。 VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度高达 0.8%。 能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷电容器。 此外,此器件特有一个专用的 LDO 电源输入。TPS51716 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。 它支持灵活功率级控制,将 VTT 置于 S3 中的高阻抗状态并在 S4/S5 状态中将 VDDQ,VTT 和 VTTREF 放电(软关闭)。 它包括具有低侧 MOSFET RDS(接通)感测的可编程 OCL,OVP/UVP/UVLO 和热关断保护。TPS51716 从 TI 出厂时采用 20引脚,3mm x 3mm QFN 封装并且其额定环境温度范围介于 -40°C 至 85°C 之间。特性 同步降压控制器 (VDDQ)转换电压范围:3V 至 28V输出...

  TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考

  信息描述 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP™ mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...

  AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I²C接口和50-TP存储器

  信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) I2C兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5175是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的游标设置可通过I²C兼容型数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5175不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展...

  AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

  信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) SPI兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。 该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5174不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展工业...

  AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

  信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差误差(电阻性能模式):±1%(最大值) 20次可编程游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 分压器温度系数:5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范围:−55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/12616 DSCC图纸号产品详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件能够在宽电压范围内工作,支持±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电,同时确保端到端电阻容差误差小于1%,并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291和AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机...

  AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

  信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差:±1%(电阻性能模式) 20次可编程 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 温度系数(分压器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+™ 电位计系列,分别是单通道256/1024位数字电位计1 ,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件的工作电压范围很宽,既可以采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电,也可以采用+21 V至+33 V单电源供电,同时端到端电阻容差误差小于1%,并提供20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291/AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机会。在20-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将游标位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5291/AD52...

  信息优势和特点 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复至EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多信息,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...

  AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

  信息优势和特点 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复为EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...

  信息优势和特点 非易失性存储器可保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )产品详情AD5252是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有256位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄...

  信息优势和特点 非易失性存储器保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )产品详情AD5251是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有64位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄存器...

  信息优势和特点 双通道、1024位分辨率 标称电阻:25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差误差:±8%(最大值) 低温度系数:35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储游标设置 加电刷新EEMEM设置 永久性存储器写保护 电阻容差储存于EEMEM中 26字节额外非易失性存储器,用于存储用户定义信息 1M编程周期 典型数据保留期:100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度范围:-40℃至+125°C 受控制造基线 一个装配/测试厂 一个制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/11605 DSCC图纸号产品详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2,拥有1024阶跃分辨率,保证最大低电阻容差误差为±8%。该器件可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。通过SPI®-兼容串行接口,AD5235具有灵活的编程能力,支持多达16种工作模式和调节模式,其中包括暂存编程、存储器存储和恢复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调整和游标设置回读,同时提供额外的EEMEM1 ,用于存储用户定义信息,如其他元件的存储器数据、查找表、系统标识信息等。...

  信息优势和特点 1024位分辨率 非易失性存储器保存游标设置 上电时利用EEMEM设置刷新 EEMEM恢复时间:140 µs(典型值) 完全单调性工作 端接电阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存储器写保护 游标设置回读功能 预定义线性递增/递减指令 预定义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI®兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产品详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字控制电位计**,提供1024阶分辨率。它可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和遥控能力。该器件功能丰富,可通过一个标准三线式串行接口进行编程,具有16种工作与调整模式,包括便笺式编程、存储器存储与恢复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。在便笺式编程模式下,可以将特定设置直接写入RDAC寄存器,以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻。此设置可以存储在EEMEM中,并在系统上电时自动传输至RDAC寄存器。EEMEM内容可以动态恢复,或者通过外部PR选通脉冲予以恢复;WP功能则可保护EE...

  CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

  信息 CAT25128是一个128 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0和1,1) 工业和扩展温度范围 自定时写周期 64字节页写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留

  8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 具有永久写保护的附加标识页...

  CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

  信息 CAT25256是一个256 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)和(1,1) ) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留 1,000,000编程/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护

  - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业和扩展温度范围 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘UDFN和TDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...

  信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...

  信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为1024x8 / 2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25080 / 25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 32字节页写缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 符合RoHS标准的8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装...

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