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现有一振动加速度传感器采集得到一连续周期性信号怎样据此信号提

gecimao 发表于 2019-04-13 15:53 | 查看: | 回复:

  现有一振动加速度传感器采集得到一连续周期性信号,怎样据此信号提取出该信号的频率、幅值和相位信息

  现有一振动加速度传感器采集得到一连续周期性信号,怎样据此信号提取出该信号的频率、幅值和相位信息

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  现有一振动加速度传感器采集得到一连续周期性信号,怎样据此信号提取出该信号的频率、幅值和相位信息,用C/C++语言来实现,说一下具体的实现过程,能提供详细可实现的源码的线分采纳你的答案,决不食言!

  对周期信号来说,可以用时域波形分析来确定信号的周期,也就是计算相邻的两个信号波峰的时间差、或过零点的时间差。这里采用过零点(ti)的时间差T(周期)。频率即为f = 1/T,由于能够求得多个T值(ti有多个),故采用它们的平均值作为周期的估计值。

  在一个周期内,求出信号最大值ymax与最小值ymin的差的一半,即A = (ymax - ymin)/2,同样,也会求出多个A值,但第1个A值对应的ymax和ymin不是在一个周期内搜索得到的,故以除第1个以外的A值的平均作为幅值的估计值。

  采用过零法,即通过判断与同频零相位信号过零点时刻,计算其时间差,然后换成相应的相位差。φ=2π(1-ti/T),同样,以φ的平均值作为相位的估计值。展开我来答

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  对周期信号来说,可以用时域波形分析来确定信号的周期,也就是计算相邻的两个信号波峰的时间差、或过零点的时间差。这里采用过零点(ti)的时间差T(周期)。频率即为f = 1/T,由于能够求得多个T值(ti有多个),故采用它们的平均值作为周期的估计值。

  这个方法在单片机里不可行,我试了很多次,根本采不到信号的频率.最后只能用复杂的FFT算法来算,但是分辨率却不够,我需要分辨10~1KHZ的频率,其中最小分辨率是1HZ,但FFT做128个点最小分辨率只能到15.625HZ.,A/D采样频率是 0.0007s.必须要几倍的RAM才能达到我的要求,我用的单片机只有2K的RAM.

  用fft算法,采用随机信号128个点或者更多,用频谱分析法可得频率和幅值

  我们已经开发出一种简单的平面技术兼容过程中,硅和成功适合微波功率SiGe异质结双极晶体管(HBT)的应用程序的开发。它的电流增益是50-320,和分别为28V和5V的集电极和发射极的击穿电压。在共发射极连接的方法和类C,连续波的输出功率可达5W的工作条件,收集电极的转换效率为63%,基于这一点,900M赫兹工作下的功率增益7.4分贝。

  /微机电系统(MEMS)技术在未来通信领域有广泛的应用,本文介绍了一些MEMS器件的通信线路。微型电容器,微电感器,微谐振器,过滤器,微动开关等的典型结构,其性能。

  一个等离子干蚀刻的P-型硅生产微型模具,然后填满模具的电化学方法。从而得到一种坡莫合金金属微结构的(80%的镍,20%铁)。坡莫合金,微结构,在MEMS研究作为软磁材料具有广泛的用途。为了获得微结构的横向尺寸为100mm×100mm,第一方深槽刻在掩模图案形成在硅晶片上,使用的等离子方法。使用CF4和SF6混合腐蚀性气体。 10分钟,得到10毫米深的槽,单晶硅的过程示出了较高的刻蚀速率。其次深槽模具选择性电沉淀。为了实现电解质和硅电极,和其他的槽底部的掺杂的硼原子之间的电荷的移动,以及使用一个特殊的夹具。直流电镀电流可以被添加到从在所述基板上镀覆的晶片背面,从而获得高度均匀的微结构。坡莫合金微结构具有高磁导率(1700),该方法已被成功地获得。

  本文给出了LIGA工艺的IC工艺相结合的镍金属,硅为基础材料的高性能微加速度传感器的结构材料的研究结果。作为金属材料,在更小的尺寸的装置,以获得更高的灵敏度。特殊的结构,使设备的最佳阻尼状态。生产过程中,包括厚的塑料光学光刻,沉积电镀籽晶层,电化学沉积一牺牲层,X射线曝光。

  第10届年度全国会议上的电子束离子束和光子束,1999年11月,长沙市,湖南

  深X射线光刻技术生产的高宽比MEMS结构的一个重要方法。由于最LIGA掩模支撑膜光学不透明的,它是很难进行需要重复多次曝光的对准。透视光刻掩模对准,通过很好地解决了这个问题的背面。鉴于面具制作过程的研究成果。整个过程包括氮化硅的析出,UV光刻法,电化学沉积金吸收体,体硅蚀刻以形成支持膜。使用卡尔·苏斯双定位仪可2毫米对准精度。

  为了解决静电的晃动微电机的寿命短表和转速表的凸极法兰结构,提出了台面结构,光电一体化振动微电机的难题。单晶硅柜台面凸缘厚度为1.1mm,而不是悬浮多晶硅凸缘,它具有高的机械强度,一个小的摩擦系数,耐磨损性,并不会崩溃,等。电机的轴也可以被替换为一个实心轴2毫米的空心轴,轴的变形,由于磨损和强制来克服这一问题。电机的寿命大大改善。在另一方面,在电机上,光电转速计电路还集成了电机的转速,可以精确地测量。并且还可以形成一个闭环控制系统,或用作斩波器,并成为一个真正的微机械的电子系统。这个过程很简单,新的电机是完全兼容的IC工艺可以批量制作。

  第六届全国敏感元件及传感器的会议在本文中,微特电机集成了一个光电二极管,1999.10,北京

  ,光电转速表系统组成。一体化的多个光电二极管,使用反向偏置二极管的暗电流和光电流的变化来测量下方的马达转子的电动机的旋转速度。它提高了电机的速度范围内,和低的视频拍摄测速系统测速来解决这个问题。此外,它有一个兼容的,准确的测试过程。也可以由斩波器。光学,机械,电子微机电系统。

  铁电 - 硅微集成系统FSMIS的是与硅技术的铁电材料的组合的产品,具有很重要的价值在微机电系统(MEMS),存储器和其他方面的问题。本文介绍几个重要的硅铁电薄膜的制备方法和应用的几个典型的FSMIS方向,并且FSMIS的领域未来的发展前景。

  目的是为了奠定了基础,为实现高灵敏度的集成微麦克风和扬声器。优秀的机电耦合特性提出了锆钛酸铅(PZT)铁电PZT铁电薄膜硅技术相结合开发了悬臂铁电 - 硅集成微麦克风和扬声器。双膜片型的PZT的膜片结构优化设计,初步设计和工艺用水过程中,为最终实现的集成微麦克风和扬声器设计奠定了基础。铁电 - 硅集成微麦克风和扬声器,预计要施加到多媒体语音输入和移动通信。

  硅,铁电存储是通过硅处理技术在半导体集成电路的集成铁电材料,为了充分利用的新型存储器上的优势,在信息存储材料。这个新兴的存储器的铁电 - 硅微集成系统FSMIS的一个重要的应用,低工作电压,低功耗,高存储密度,优异的非易失性存储性能有望超越纯粹的半导体存储器,并很可能是重要的信息21世纪的存储技术。

  本文的目的是实现高灵敏度的集成微麦克风和扬声器-PZT悬臂式隔膜的核心结构的基础。优秀的机电耦合特性提出了锆钛酸铅(PZT)铁电PZT铁电薄膜硅技术相结合开发了悬臂铁电 - 硅集成微麦克风和扬声器。的PZT的膜片结构优化设计的型号,使用的多振膜设计,集成微麦克风和扬声器的核心结构,最终实现奠定了基础。

  域密度泛函方法和模型的离散变量分支的N掺杂缺陷复合物在硒化锌作为群集。基于两者的复合体形成的能量差,发现在N-掺杂的ZnSe的NSE-Zn系-VSE由主补偿机构是更有效的,而在AS掺杂的ZnSe ASSE Znint是更有效的。确定的170meV的主要NSE锌的NSE和88毫电子伏特施主能级的的NSE-NZN复杂的。确认的N分子提供援助的国家的概念。

  为了证明P + -Gex/Si1-x/P-Si HIP红外探测器与硅MOS读出电路单片集成的可能性,本文的P + HIP -Gex/Si1-x/P硅岸,红外探测器与硅CMOS读出电路的工艺兼容性,并提出了一个可行的选择。 P + -Gex/Si1-x/P-Si HIP红外探测器和NMOS单片集成读出开关电路测试芯片的硅3毫米的NMOS技术研制成功。在77K,使用分子束外延(MBE)法的光学谐振腔的介质中的生长,和抗反射涂层的P + -Gex/Si1-x/P-Si的HIP装置黑体检出率达到11 Mm.Hz1 / 2。 W - 1,并成功地实现了读出的红外线检测器的信号的读出通过NMOS开关。

  铬为200nm的薄膜上沉积的AlN陶瓷基板抛光200℃,使用电子束蒸镀法,并在高真空中退火。 MCS +-SIMS技术(Cs +的的初级离子轰击检测MCS +型二次离子)样品界面组件分布与退火温度和时间的变化关系的深度剖析。结果表明,MCs的+-SIMS技术是一个有效的方法的金属 - 陶瓷界面扩散和反应。

  使用的二次离子质谱(SIMS)和X-射线衍射(XRD),AlN陶瓷基片进行退火,在850 - 1100℃的空气中时的初始氧化行为。结果表明,未退火的AlN陶瓷基板表面积有薄薄的一层丰富。 10分钟的退火条件下,随着退火温度,富氧层迅速增厚。 1100 OC退火20分钟的条件下,AlN陶瓷基片的表面区域中,产生连续的氧化物层。最后,结合化学热力学调查AlN的陶瓷基板的表面上的初始氧化过程的机制。

  /使用二次离子质谱(SIMS)和X-射线衍射(XRD)研究电子封装镝和CaO添加剂AlN和堇青石,碳酸钡添加剂沫陶瓷基板相组合物表面的组合物,特别是在表面的杂质和由SIMS尝试探索的AlN表面热氧化。结果表明,AlN和Mo的莫来石陶瓷的表面存在不同程度李,C,F,钠,钾,氯,钛,铷等的污染杂质元素;氮化铝的表面上存在的O-富含层850oC10分钟后退火O-富集层空气中的显著扩大。

  在抛光200oC的AlN陶瓷基片,使用电子束蒸发方法淀积厚度为200nm的Ti膜,并在高真空中退火。利用二次离子质谱法(SIMS),卢瑟福背散射谱(RBS)和X-射线衍射分析(XRD)技术研究的给定接口,从200?850℃的温度区域的Ti和AlN固相界面反应的组合物分布退火温度和时间之间的关系。发现在界面区的三元铝和观察到的铝生产和发展过程。指出,铝化合物组成的Ti-Al的二元和三元的Ti-Al-N的化合物。最后,利用热力学理论来解释实验结果。

  硅杯结构应力分布的基础上,采用有限元法分析,这两个新的双桥结构集成压力传感器的设计。其中,所述压阻桥位于在膜片上的高应力区,补偿电桥对角线上的或隔膜附近的硅区域位于膜片体的逐渐增厚,和每个电桥的四个电阻的组合物,中央设置在同一地区。压阻式桥和补偿电桥的输出信号相减,预计将显着减少的压力传感器的偏移和温度漂移。压力传感器芯片的信号处理电路,还提供了关于使用PMOS进程,以实现集成制造。

  为了克服的缺点,模糊逻辑和神经网络,模糊神经网络,成为当今研究的热点领域之一。本文讨论两种主要的方法和模型结果的模糊神经网络审查拟议的发展:一个系统,称为一个基于神经网络的模糊逻辑系统,另一个所谓的模糊神经网络。模糊神经网络的VLSI实现是一个相对较新的问题。本文首先介绍了模糊逻辑和神经网络的VLSI实现,然后再讨论的模糊神经网络VLSI实现的研究和开发。

  控制问题悬浮在磁场中的金属小球,一个两输入一输出的九个规则的模糊控制器的设计。控制器采用了全新的模糊化和去模糊化方法,它克服了通常模糊分级方法的精确量引起的信息丢失。仿真结果表明,该方法具有更短的过渡时间,超调量小,稳定性好。 CMOS电流模式电路的设计,其结果表明,改进的CMOS工艺的水,该电路是更好地达到设计要求。近300名的所有电路MOS管,面积的?1.1平方毫米,消耗10.7毫瓦。

  在本文中,模拟电路,通用可编程模糊逻辑控制器PFLC,两个输入变量和一个输出变量控制对象,允许81个控制规则。该控制器是一种电流模式多值CMOS器件,采用2mm标准CMOS工艺。 PFLC方便的输入/输出接口,每个时钟周期完成的最大时钟频率高达1MHz的模糊推理过程并行。

  源一起接地的漏极MOS晶体管终止的,使其工作在饱和区和非饱和区,可组成的等效电阻,该电阻与有源器件的功能实现。仿真和测试结果表明,当工作电压是1至4 V的范围内,电阻变化是小于5%。双MOS管内阻实际上是补充和完善,单MOS管区电阻,电阻从1千瓦到几十千瓦,调整方便,结构简单,使用标准的CMOS制造。

  SI1运用虚拟材料具有许多优异性能,优质的应变外延层能带工程的概念引入第四组设备。外延的Si1-xGex基地面积?异质结双极晶体管(HBT)获得的优异性能,并具有的优势,可以与硅工艺兼容的,SI1运用虚拟硅集成的BiCMOS技术已经取得了很大的发展,达到的水平的工业应用。 SI1级运用虚拟的发展过程中,增加了电路的速度,同时也推进进度的微波集成电路,硅MMIC应用带。从目前的情况已经达到了目前的发展阶段,被广泛用于无线电频率(RF)通信。

  本文回顾了在过去的几年中,展示其微波电路的Si1-xGex材料和器件的发展。外延的Si1-xGex基地面积异质结双极晶体管(HBT)以其优异的性能,并具有的优势,可以随着半导体工艺兼容,和一个微波集成电路的进步促进,提高了应用程序的乐队?硅MMIC。从目前的情况已经达到了目前的发展阶段,被广泛用于无线电频率(RF)通信。

  为了开发高性能Si1-xGex/Si的异质结器件,设备应用程序的增长紧张SI1级运用虚拟材料,利用自行研制的超高真空化学气相沉积(UHV / CVD)设备,外延生长过程中Si1-xGex/Si。的Si1-运用虚拟增长率与锗甲烷流变化,以及作为组分。实验结果表明:生长的Si1-运用虚拟速度锗甲烷流的增加显着,并且在外延层的Ge的成分气相锗甲烷浓度大约是2.5倍。一个简单的生长动力学模型来解释的元件之间的关系,并且流程。拉曼光谱的分析结果表明,该外延层的应变。使用的材料的二极管所产生的良好表现。

  在本文中,一个新的谐振电容式硅微加速度传感器,其结构和工艺设计和生产一系列不同的结构和大小的这个装置。的加速度传感器,用于检测谐振梁的支撑梁,而在生产产生的信号,并使用热驱动压阻桥同步检测方法,得到的信号输出的一个电阻器。该设计使用一个压阻式传感器技术和体硅微机械加工技术,但也具有高的分辨率的共振原理,高稳定性和容易的信号处理电路,以较低的成本的优点结合起来,以获得高的移动设备的性能。从3mm×4mm的结构尺寸为6mm×6mm的范围。

  本文在三角形的障碍近似求解薛定谔薛定谔方程,费米统计中的应用,建立的MOSFET亚阈值区的经典和量子力学的载流子分布模型,并从设备打开实时而言,一个用于定义的导通电压的量子力学理论,根据经典理论计算的亚阈值区域的量子力学的载流子分布和亚阈值电流的量化的效果,第1系统的研究和理论深亚微米MOSFET亚阈值特性。计算结果表明:高的基板时,掺杂浓度和量化效应导致的载流子浓度和亚阈值电流显着减少和开路电压的增加,亚阈值斜率因子(S),同时不具有显着的影响。这项工作表明:模型的深亚微米MOSFET器件的亚阈值特性和器件的设计必须考虑到影响的量化。

  中的底物浓度的增加,该栅氧化层的厚度的减小更显著。实验结果表明:在量子力学效应可以导致的开路电压明显漂移。本文通过比较薛定谔方程的解析解抛??物障碍下的数值解三角形障碍的MOS结构的弱反量子力学效应三角形障碍近似的正确性。计算弱反转区量化的概念,量化的有效态密度和经典的有效态密度的载体子带的分布情况的基础上的层子能带结构进行了分析,并讨论了量子力学效应的影响,关电压的两个因素,并在此基础上,导通电压的修正模型的量子力学。该模型准确地揭示了量子力学的效果打开的物理实质的电压,给出的结果与实验数据相一致。

  一致的全局特性的MOSFET的反转层的载流子迁移率[1-4],非均匀掺杂的结论相关的信道,有不统一。通过仔细研究的文献数据和文献[1],[2]中的参数的提取方法中,我们发现:这样的不一致之处,仅仅是由于在文献[1],和其它文献中的耗尽层的电荷的定义。在同一时间,我们所发现的[2]从实验数据中提取的参数是不适用的。本研究表明,在非掺杂的信道的情况下,载流子迁移率的具有均匀掺杂的信道相同的规律性。

  从运营商的分布特点,表面有效态密度的MOS结构,在反转层(SLEDOS:表面层的有效密度的状态)的概念。的经典理论框架和量子力学的框架内,利用表面电荷分布模型的有效密度的概念。该模型引入了一种有效的迭代方法计算效率高,稳定性强。根据反型层载流子浓度和表面电势的量子效应模型。因此,使用SLEDOS概念上的导通电压校正模型的量子效应。

  受到人们的重视低温MOS器件,由于其固有的高流动性和优异的亚阈值特性。量化效应将是一个显着的MOSFET的反转层的载流子浓度的特性的影响,并在导通电压。第一次不同温度下的量化效应的MOS结构反型层载流子浓度进行了系统的研究。在宽的温度范围(77K?400K)和一个较大的衬底的掺杂浓度的范围(1016厘米-3?1018厘米-3)计算的经典理论和量子理论分布,这两种情况下,该反型层的载流子的载流子浓度的分布,并的栅极电压之间的关系。结果表明,随着温度的降低,载流子浓度的量化影响将显着地更大。纳入MOS器件的量子效应仍然能够保持优异的低温亚阈值特性的计算中发现:弱反型区,更大的量子效应,载流子浓度的影响。

  非均匀的衬底掺杂设备成为一个必要的结构金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)结构设计由于其良好的短沟道效应。是必不可少的沟道杂质分布的导通电压。非均匀掺杂的衬底表面强反型开放概念的MOSFET器件的导通电压的电压,及固定的载流子浓度,并验证的基础上的两个定义的等价数值解。关闭系统均匀分布在基板上的杂质,阶梯式分布和高斯分布的三个典型沟道掺杂结构器件的导通电压进行了对比研究。计算结构验证加强杂质分布的结构,以减少交替导通电压,以及非均匀掺杂结构相对于均匀掺杂结构的作用,以减少的导通电压特性。计算结果表明,当低掺杂区的宽度是小于一个台阶的宽度的耗尽层的厚度分布和低掺杂的区域,基本内容的结构的耗尽层的厚度。给定电压的MOS器件上的阶梯状的杂质分布的分析模型适用于。

  微流控装置及微流量传感器和信号处理和控制电路的小型化,集成微流控制系统相结合,已成为MEMS研究的热点之一。本文介绍了集成微流控制系统和生产过程中的结构和工作原理。试验结果表明,该系统简单的制造过程是完全兼容标准的MOS技术,微流量控制系统的实际应用奠定了基础。

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